Номер детали производителя : | HS1BL MQG | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | HS1BL MQG.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | HS1BL MQG |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | HS1BL MQG.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950 mV @ 1 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | Sub SMA |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 50 ns |
Упаковка / | DO-219AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | HS1B |
50NS, 1A, 100V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123F
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FL
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA